【摘 要】
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<正> O484.1 95010481GaAs上热壁外延Cd8.96Zn0.04Te薄膜=Growth ofCd0.96Zn0.04Te films on GaAs substrates byhot wall epitaxy[刊,中]/陶长远,刘达清（南开大学物理系.天津
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<正> O484.1 95010481GaAs上热壁外延Cd8.96Zn0.04Te薄膜=Growth ofCd0.96Zn0.04Te films on GaAs substrates byhot wall epitaxy[刊,中]/陶长远,刘达清（南开大学物理系.天津）//红外与激光技术.—1994,（3）.—15—17首次报道用热壁外延技术在（100）GaAs衬底上生长出Cd0.96Zn0.04Te（111）薄膜,结果表明,薄膜在15—20μm厚时X射线双晶衍射回摆曲线半高宽在100弧秒以下,其位错腐蚀坑密度等于甚至小于103cm-2薄膜组分,层厚均匀,表面光亮如镜,质量达到
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