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通过对中国计量科学研究院(NIM)与美国国家标准局(NBS)研制的硅单晶电阻率标准样片的比较实验研究,获得了标志着标准样片主要性能的方块电阻直径扫描分布曲线、全片等值分布图和大量有用数据。实验结果表明,NIN标准样片的各项性能均达到NBS同类标准样片的水平,其中,径向电阻率不均匀度和标称值偏差两项的指标还优于NBS标准样片。