【摘 要】
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采用双离子束辅助沉积技术制备了ＴｉＮ 薄膜，并用ＸＰＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ 和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试，结果表明，在溅射沉积的同时，Ｎ＋ 离子的轰击使ＴｉＮ薄膜主要沿（２００）取向择优生长；离子的轰击也使ＴｉＮ 薄
【机 构】
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中国工程物理研究院应用电子学研究所,中国工程物理研究院应用电子学研究所,清华大学材料科学与工程系
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采用双离子束辅助沉积技术制备了ＴｉＮ 薄膜，并用ＸＰＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ 和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试，结果表明，在溅射沉积的同时，Ｎ＋ 离子的轰击使ＴｉＮ薄膜主要沿（２００）取向择优生长；离子的轰击也使ＴｉＮ 薄膜的表面形貌发生显著的变化，随着轰击Ｎ＋ 离子能量的增加，ＴｉＮ 薄膜的晶粒增大。在盘铣刀片上沉积ＴｉＮ 改性薄膜后，其使用寿命大大提高
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