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阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题，进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性（用掺杂Al2O3质量分数达3％的溅射靶材可制备电阻率达4．7×10^-4Ω·cm、透射率超过90％的ZAO薄膜）而具有广泛的应用前景。并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论。