【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅（nc-Si：H）薄膜和掺磷纳晶硅（nc-Si（P）：H）薄膜。通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si（P）：H
【机 构】
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郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
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采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅（nc-Si：H）薄膜和掺磷纳晶硅（nc-Si（P）：H）薄膜。通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si（P）：H薄膜的晶化率（Xc）和晶格微观畸变（Ls）的影响,结果显示随着PH3浓度的增加,Xc和Ls均呈现了先增加后减小的相似趋势,暗示二者之间存在紧密的关联;利用四探针法测量了nc-Si（P）：H薄膜的电导率（σ）,结果表明,nc-Si（P）：H薄膜的σ比nc-Si：H薄膜提高了约5个数量级,且随着
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