论文部分内容阅读
在1 450 ℃、N2气氛中制备出Si3N4多孔陶瓷预制体,然后采用两步法制备AlN基复合材料:第一步将熔融Al-10Si-5Mg合金分别在850 ℃和950 ℃的温度下,采用无压渗透技术渗透到预制体中形成陶瓷/金属复合材料;第二步对所得复合材料分别在1 200 ℃和1 300 ℃进行热处理.扫描电镜和X射线衍射分析结果表明:Al/Si3N4在850 ℃和950 ℃渗透期间已开始反应,只要有Si3N4存在,热处理对于消耗自由Al生成AlN和Si十分有效.