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利用真空离子沉积技术在钼栅极的表面分别镀上一层Ｃ膜Ａｌ膜ＡｌＴｌＺｒ合金膜，对镀膜后的样品进行寿命试验。用ＳＥＭ和ＸＲＤ分析技术镀膜样品受了阴极活性蒸发物Ｂａ污染前，污染后进行了对比研究，实验结果表明，逸出功较低的Ａｌ在受取Ｂａ污染后，能够生成金属间化合物，从而能够有效地抑制栅极发射，而沉积的Ｃ膜在受到污染后，逐渐被消耗而失去作用；在Ａｌ中加逸出功较高的ＴｉＺｒ合金后，破坏了金属间化合物的生成，并