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采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内ＣｄＳｘＳｅ１－ｘ的纳米晶体，其平均尺寸随退火时间的增加而增大。从实验测量的室温吸收谱上看到，当纳米晶体的平均直径从５．６１ｎｍ减小到４．６９ｎｍ时，其吸收边高能方向移动了０．０８９ｅＶ。
CdS0.1Se0.9半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究
【摘 要】
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采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内ＣｄＳｘＳｅ１－ｘ的纳米晶体，其平均尺寸随退火时间的增加而增大。从实验测量的室温吸收谱上看到，当纳米晶体的平均直径从５．６１ｎｍ减小到４．６９ｎｍ时，其吸收边高能方向移动
【机 构】
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北京师范大学生物学系
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!(196 34 0 30 )
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