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采用DTA对不同铟含量（x）的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试。结果表明：随着x值的增加其过冷度增大。采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术，对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究，并对其结晶形态进行了观测。发现：随着晶体生长过程的进行，熔体结晶温度呈下降趋势，固-液界面发生移动；生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔，有取向一致的台阶反光面，小孔底部为{112}面。研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基