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我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g-m≥400 ms/mm,BV-{DS}>1 5V,BV-{GS}>10V表明该材料有较好的性能.作为材料的缓冲层,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果.