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Electromechanical Fields and Their Influence on the Internal Quantum Efficiency of GaN-Based Light-E
【机 构】
:
DepartmentofEngineeringSciences,DepartmentofMathematics,DepartmentofElectricalEngineering
【出 处】
:
固体力学学报:英文版
【发表日期】
:
2018年3期
【基金项目】
:
The authors are thankful to Prof. Jong-In Shim and Prof. Dong-Soo Shin for the useful discussion. The authors appreciate Higher Education Commission of Pakistan and Hanyang University, South Korea, fo
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