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设计了一种用于CMOSA/D转换器的带隙基准电压源。该电路消除了传统带隙基准电压源中运算放大器的失调电压及电源电压抑制比对基准源指标的限制,具有很高的精度和较好的电源电压抑制比。电路采用中芯国际(SMIC)0.35um CMOSN阱工艺。HSPICE仿真结果表明,在3.3V条件下,在-40℃~125℃范围内,带隙基准电压源的温度系数为2.4×10^-6V/℃,电源电压抑制比为88dB@1kHz,功耗为0.12mw。