【摘 要】
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通过数值求解含时Schr dinger方程研究了强激光场中多阱量子系统的增强电离行为 .结果发现系统的电离并不随阱间距增加而增大 ,而是在一定阱间距范围内 ,系统电离很陡地上升并维持一段 ,随后缓慢下降到接近氢原子 (单阱系统 )的电离水平 .用场诱导上势垒 (Field inducedover the barriers)电离机制合理地解释了这一结果 .另外 ,随着阱数目的增加 ,整个电离峰稍微向
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通过数值求解含时Schr dinger方程研究了强激光场中多阱量子系统的增强电离行为 .结果发现系统的电离并不随阱间距增加而增大 ,而是在一定阱间距范围内 ,系统电离很陡地上升并维持一段 ,随后缓慢下降到接近氢原子 (单阱系统 )的电离水平 .用场诱导上势垒 (Field inducedover the barriers)电离机制合理地解释了这一结果 .另外 ,随着阱数目的增加 ,整个电离峰稍微向阱间距小的方向移动 ,但增强电离趋势保持不变 .电离能并不是多阱系统强场电离的决定因素 .
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证明了每个有限群G有正规Cayley图除非G Z4×Z2 或G Q8×Zr2 (r≥0 ) ;每个有限群都有正规Cayley有向图 ,其中Zm 表示m阶循环群 ,Q8表示 8阶四元数群 .
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从RTT关系出发建立了完全可积的三角式Goryachev Chaplygin旋转仪的Hamilton量 ,通过使用SUq( 2 )代数的多个Fermi子算符表示和作平均场等近似的粗粒描述后 ,发现它可以约化成t j模型的Hamilton量 .
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