薄膜材料

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Ni77Fe14Cu5Mo4薄膜的交换偏磁场HEB美国南佛罗里达大学H.F.Kirby等人研究了若干组Ni77Fe14Cu5Mo4/Fe50Mn50复合物的磁性同NiFeCuMo层厚度及基层/缓冲层材料的关系。以Ta和Cu为缓冲层,成长在140nm厚SiOx圆片上,有些Cu则成长在Si圆片上。NiFeCuMo呈现出经典的交换偏磁场HEB特性:HEB和矫顽力 Exchange magnetic field of Ni77Fe14Cu5Mo4 thin film HEB H.F. Kirby, University of South Florida, USA studied the magnetic properties of several Ni77Fe14Cu5Mo4 / Fe50Mn50 composites in relation to NiFeCuMo layer thickness and base / buffer layer material. With Ta and Cu as buffer layers, grown on 140nm thick SiOx wafers, some of them grow on Si wafers. NiFeCuMo presents classical HEB characteristics of exchange bias magnetic field: HEB and coercivity
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