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采用限定变量的方法。运用AFORS—HET（Automat FOR Simulation of HETerostructures）软件计算模拟了不同厚度、掺杂浓度和禁带宽度的非晶硅薄膜背场以及不同厚度、禁带宽度的非晶硅本征层对a-Si（p）／c—Si（n）异质结太阳电池的影响。结果表明。在其它参数不变的情况下，增加较薄的背场和中间本征层，可以提高太阳电池的整体性能。其光电转换有很大程度提高。其最高转换效率可达20．75％；其中。中间本征层在厚度不超过20nm时。对电池的短路电流影响不大。而其它性能则相对下