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采用冷等离子弧在大气压下以六甲基二硅氧烷为单体制备SiOx超疏水薄膜，研究不同工艺参数对薄膜的结构性能影响。通过傅里叶红外光谱（FTIR）对SiOx薄膜进行了结构分析、通过原子力显微镜（AFM）和数字光学显微镜分析了SiOx薄膜的表面形貌、通过接触角仪测试了所沉积的SiOx薄膜亲／疏水性。在较为详细的研究冷等离子弧制备工艺参数对薄膜的影响后，如基片高度、单体输入量、沉积时间等，我们得到，在基片高度为10cm、单体输入量为90mL·min^-1、沉积时间为2min时，可以制备出接触角为160