论文部分内容阅读
采用化学气相沉积法（CVD）以一氧化氮（NO）和氧化镓（Ga2O3）为掺杂源，在c轴取向单晶蓝宝石衬底上外延生长镓氮（Ga-N）共掺氧化锌（ZnO）纳米线阵列。利用SEM,XRD,HRTEM,XPS,PL等测试手段对掺杂后的ZnO纳米线阵列进行结构、成分和光学性能表征。结果表明，Ga-N共掺ZnO纳米线阵列保持六方纤锌矿结构，沿（002）方向择优生长；掺杂元素在样品中均匀分布。随着掺杂浓度增加，纳米线由六棱柱结构转变为尖锥层状结构，长度由2μm减小到1μm，锥度增加至0.95；N1s/Ga2p/Zn2p峰