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根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射事最低可达到4.38%;分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si:N=1:1时即可达到较好的表面抗反射效果。