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利用透射电子显微镜研究了PST双相TiAl类单晶室温变形后的位错特征。发现除微孪晶和1/2<110]单位位错外,<011]超点阵位错和1/2<112]超点阵位错也参与了变形。<011]位错通常发生:[101]→1/2[101]+APB+1/6[211]+SISF+1/6[1 2]的分解,而1/2<112]超点阵位错则通常分解形成由1/6<112]部分位错构成的层错偶极子。1/2<110]单位位错通常是混合型位错。本文讨论了这些特征对材料室温变形的影响。