【摘 要】
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建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明
【机 构】
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建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的
The equivalent circuit model of single-grain gate-breakdown effect in power MOS devices and the corresponding extraction method of model parameters are established. The mechanism of single-grain gate-breakdown effect in VDMOS devices is simulated and analyzed. The simulation results are in accordance with the experimental data in the literature , Indicating that the established device model and simulation method is reliable
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