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采用平面波展开法模拟由GaAs、Si和Ge介质柱构造的graphite格子二维光子晶体的禁带结构．数值计算发现，无论由圆形、正六边形或正方形介质柱构造的graphite格子，出现完全光子禁带时对应的填充比f可变化范围都非常大．Graphite格子光子晶体在介质折射率最低为2．2时出现完全光子禁带．当介质材料折射率n在3．4～3．9范围变化时，最大禁带宽度△可保持在0．050[ωα／（2πc）]以上，最大完全禁带宽度与中心频率的比值稳定在15％．