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本文介绍了MOS型硅功率器件常见的平面结击穿电压的基本理论和提高击穿电压的基本方法以及终端处理技术发展中所面临的课题。
MOS型硅功率器件的发展
【摘 要】
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本文介绍了MOS型硅功率器件常见的平面结击穿电压的基本理论和提高击穿电压的基本方法以及终端处理技术发展中所面临的课题。
【机 构】
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华中理工大学,华中理工大学武汉430074,武汉430074
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1991年6期
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