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用PVT法制备了6H-SiC。用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌。讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理。蜷线起源于螺旋位错，它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置。在（0001）Si面上，蜷线表现为圆形螺旋，而在（0001）C面上则表现为六角形螺旋。通常情况下，蜷线的极点没有任何包裹物。然而在某些情况下，蜷线的极点会出现包裹物，如夹杂、微管、孔洞或者负晶等。当（0001）Si面作为生长面时，6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型（BCF理论模型）。