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绝缘膜正带电现象在集成电路芯片低能电子束检测方面具有可以利用的前景.采用简化的表面电位分布模型,通过数值方法计算了二次电子从正带电绝缘膜表面发射后的运动轨迹,分析了初始条件和电位分布形态对轨迹特性的影响.在轨迹计算和考虑二次电子发射概率分布的基础上得到了二次电子受局部电场作用而返回表面时的最大初始动能、分布规律,提出了通过简单的一维势垒模型来确定二次电子返回率的方法,为分析电子束照射绝缘膜时正带电效应所产生的二次电子信号衬度现象奠定了基础.