复合靶溅射Bi4Ti3O12铁电薄膜的结构和相变

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采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,在Si基片上沉积制备Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,用变温X-射线及热分析等方法研究BTO铁电薄膜的结构和相变,结果表明,在温度为350~445 °C之间,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变,在670 °C附近,薄膜由铁电相向顺电相转变,该相变是由于晶格畸变量b/a随温度上升连续减小,使得薄膜晶体对称性发生改变引起,在相变附近未观察到潜热的产生.
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