【摘 要】
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本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm2的欧姆接触.接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N2气氛围
【机 构】
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中国空空导弹研究院,洛阳,471009北京大学物理系,北京,100871;
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本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm2的欧姆接触.接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小.在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0.034Ω·cm2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的.分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因.
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