在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征

来源 :华南师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zxcvzo1

【摘要】

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介绍用化学水浴法在聚酰亚胺（PI）衬底上沉积铜铟镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜.研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理,着重研究在沉积过程中,氨水浓度和水浴

【作者】

：

李巍方小红

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十八研究所

【出处】

：

华南师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2009年A01期

【关键词】

：

化学水浴法硫化镉铜铟镓硒太阳电池 CBD CdS CuIn1-x GaxSe2 solar cell

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介绍用化学水浴法在聚酰亚胺（PI）衬底上沉积铜铟镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜.研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理,着重研究在沉积过程中,氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响.经过实验比较得到沉积CdS薄膜的较佳氨水浓度和水浴温度条件为：1.3×10-3mol/L NH3.H2O,75℃水浴温度.

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