【摘 要】
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<正> 半导体激光器正向发射波长更短(400nm以下)、发射功率更大(300mW以上)、超小型、长寿命的方向发展,以满足各种应用的需要。半导体激光器由于具有体积小、重量轻、功率转
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<正> 半导体激光器正向发射波长更短(400nm以下)、发射功率更大(300mW以上)、超小型、长寿命的方向发展,以满足各种应用的需要。半导体激光器由于具有体积小、重量轻、功率转换效率高(最大可达50％)、并可以通过改变温度、掺杂量、磁场、压力等实现调谐和调制及使用寿命长、成本低、易于大量生产等特点,品种发展快、应用范围厂,目前已超过300种,在CD激光唱片机、光纤通信、光存储器、激光打印机等获得广泛应用,市场前景广阔。
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