【摘 要】
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考虑放射性同位素源自吸收效应,提出基于半导体材料GaAs和同位素源63 Ni的微电池最优化设计方案,并通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算β粒子在半导体材料中的输运过程,对同位素源
【机 构】
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南京航空航天大学核科学与工程系,兰州大学核科学与技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11205088);江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目(CXZZ12_0146);中央高校基本科研业务费专项资金资助
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考虑放射性同位素源自吸收效应,提出基于半导体材料GaAs和同位素源63 Ni的微电池最优化设计方案,并通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算β粒子在半导体材料中的输运过程,对同位素源与半导体材料的厚度,换能单元PN结结深、耗尽区宽度、掺杂浓度、少子扩散长度,及电子空穴对的产生及收集情况等进行了研究和分析,给出了不同结深下,各物理参量的最佳设计值。在源活度为3.7×107 Bq,PN结表面积为0.01cm2时,提出的辐射伏特效应微电池最优化设计方案可实现：短路电流密度为379.68nA/cm2,开路电压
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