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在有效质量近似下,分析了GaAs/GaAlAs量子阱结构中有限深势阱(FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式,发现结果与前人的数据吻合得很好;进一步的分析表明,该公式在非零电场下仍然适用,并从波函数角度进行了论证.
量子阱结构的等效宽度新公式
【摘 要】
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在有效质量近似下,分析了GaAs/GaAlAs量子阱结构中有限深势阱(FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式,发现结果与
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系
【出 处】
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光电子·激光
【发表日期】
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2002年9期
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