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基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结（NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,Ⅰ表示绝缘层）中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻（TMR）效应之间的关系.研究结果表明：当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR;在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.