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采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜．对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析．结果表明，在高温退火后，有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强度．对试验结果进行热力学分析后，认为NiSi2作为纳米晶硅的形核中心诱导了薄膜的分相和纳米晶硅生长．