【摘 要】
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介绍了77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺/蒙脱土、聚酰亚胺/云母、聚酰亚胺/SiO2三个系列的低温电气强度。结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋
【基金项目】
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中国科学院百人计划研究基金项目;北京市科委重大项目(编号:H020420020230)
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介绍了77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺/蒙脱土、聚酰亚胺/云母、聚酰亚胺/SiO2三个系列的低温电气强度。结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺/蒙脱土电气强度最佳可达215.77MV/m;对于聚酰亚胺/SiO2系列,电气强度比纯PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求。
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