【摘 要】
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报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly-Si技术,研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了讨论.实验中微波等离子体功率范围在100～500
【机 构】
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武汉化工学院等离子体化学与新材料重点实验室
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报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly-Si技术,研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了讨论.实验中微波等离子体功率范围在100～500 W,CF4气体流量在10～50 cm3/min(标准状态下)范围,气压在0.25～2.5 Pa范围,射频偏置功率在0～300 W范围,对应的刻蚀速率为10.4～46.2 nm/min.
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