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非易失性铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation日前宣布，其两款非易失性状态保存器FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC—Q100 Grade1认证。这些状态保存器可按要求保存信号状态，并在上电时自动恢复到正确状态。F—RAM技术具有独特的快速写入能力、几乎无限的写入耐久性及低功耗特性，能够实现这种功能。