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P型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展
P型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展
来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:l00ok100
【摘 要】
:
ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注.高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.综述了获得p型ZnO薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展,讨论了目前生长高
【作 者】
:
单晶
谭天亚
崔春阳
江雪
陈俊杰
【机 构】
:
辽宁大学,物理学院,沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室,辽宁,沈阳,110036
【出 处】
:
激光与光电子学进展
【发表日期】
:
2008年8期
【关键词】
:
光学材料
ZnO薄膜
制备方法
p型掺杂
p-n结
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ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注.高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.综述了获得p型ZnO薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展,讨论了目前生长高质量的p型ZnO薄膜存在的困难,并对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析.
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