【摘 要】
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<正>对于当前的集成电路设计技术,计算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工具。电路模拟器能否用于大规模集成电路的设计和分析取决于模拟器中所采用的器件模型参数的准确性。
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<正>对于当前的集成电路设计技术,计算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工具。电路模拟器能否用于大规模集成电路的设计和分析取决于模拟器中所采用的器件模型参数的准确性。本论文选取目前业界占主流地位的BSIM3(BerkeleyShort-channel IGFET Model)为将要提取的模型,它是目前较为先进的深亚微米MOSFET模型。论文提取CMOS工艺的模型参数,采用局域优化的方法,根据模型参数的物理含义,确定模型参数的提取顺序。最后对提取得到的模型参数进行验证,给出了模型参数的误差值,并对它们的误差进行了比较、分析。
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