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研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180rim体硅工艺，基于校准的CMOS反相器器件模型，使用器件模拟的方法，研究了粒子人射位置、温度、阱／衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明，CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大，找出了电路发生闩锁的敏感区域，得出了温度、阱，衬底接触的位置、NMOS与PMOS间距等因素与SEL敏感性之间的关系，并从理论上进行了解释，总结了降低单粒子闩锁效应的有效方法，研究结果能为深亚微米体硅工艺下的抗SEL加固设计提供有效的指导。