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基于传统电子陶瓷合成工艺，采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度〉98％、非线性系数〉50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料。Sb以V2O5／Sb2O3预合成粉的形式进行添加，避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍，促进了陶瓷的低温烧结。随着预合成粉含量的增加，Sb^3＋离子对Zn^2＋离子的取代量增加，材料内部矿二等受主型缺陷的增加，使晶界势垒升高，使材料获得优异电学非线性特性。