论文部分内容阅读
反应离子刻蚀业已成为制造集成电路的一项重要技术。本文扼要地论述四类干法刻蚀的机理:物理刻蚀,化学刻蚀,化学-物理刻蚀及光化学刻蚀。文中较详细地给出Si,SiO2、Si3N4、Al、和Ⅲ-V族半导体化合物的反应离子刻蚀机理。本文也讨论有关图形边形貌的理论模型,利用此模型可以半定量地控制刻蚀的各向异性度。已有多种实验技术用来研究反应离子刻蚀的机理,最常用的方法是发射光谱法、质谱法、阻抗法和静电探针法。发射光谱相对强度法（OEA）和激光诱导荧光法（LOF）是最近发展起来的实验技术,将在反应离子刻蚀的机理研究中起到重要的作用。