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介绍了在ＶＧＥＳＣＡＬＡＢ２１０电子能谱仪上自己研制组装的用于研究单晶金属表面吸附层的原位ＴＰＤ装置。研制的单晶样品台采用钽丝加热，最高加热速率可达３０ｋ／ｓ，线性升温范围－１００～１０００℃，最高可达１０００℃以上。同时介绍了该ＴＰＤ装置成功地应用于Ｐｄ（１１１）面上的Ｃ＊Ｏ／ＣＯ同位素交换吸附实验的应用实例。