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在Mahan的理论中计入电流流过陶 的晶界时所引起的压降并加以改进,可以说明三种典型晶支陶瓷的时域介电谱听慢极化响应,由物质常数出发就能经理论计算给出SrTiO3和ZnO有两个慢响应峰,而BaTiO3只有一个;ZnO的低电压峰位于零场,而其余两种陶瓷的低压峰应离开零场位置;理论结果和实验一臻,估强场扌ZnO和SrTiO3的昌界层出现空穴区而使材料参数可能发生转折性奇异,单晶界支和多晶界层的不均匀性