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采用磁控溅射方法，制备了惣不同厚度Ru薄膜为籽晶层的CoCrPt-SiO2垂直磁记录薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)分析 Ru 薄膜的结构和形貌，并悁究了其结构对CoCrPt-SiO2薄膜表面形貌、粗糙度及结构的愝响。结果表明，CoCrPt-SiO2记录层的晶粒尺寸和粗糙度均随着 Ru 籽晶层厚度的增加而增加，薄而粗糙的籽晶层适合于高密度磁记录介质。对于CoCrPt-SiO2记录层晶粒的优化，厚度为70 nm的Ru籽晶层有利于记录层薄膜晶粒的完全隔离，从而提高了磁记录性能。