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泰科电子(Tyco Electronics)宣布推出PolyZen ZEN059V1 30A24LS器件。这款集成器件可为带有USB接口的电子产品提供全面电路保护,同时满足USB3.0挂起模式下的功耗要求。
相比于USB2.0规范中的500mA工作电流,USB3.0规范的一个主要优势在于允许设备工作电流增长到了900mA。随着越来越多的移动设备采用USB端口作为首选的充电接口,人们对更高充电电流的需求也随之增长,而且更短的充电时间也成为一个重要的考虑要素。当与USB端口相连时,移动设备并不总是处于充电状态;实际上,在大部分时间里它们处于待机或挂起模式状态。一台设备在挂起模式下的功耗特性是电路保护设计中的一个主要问题,支持挂起模式运行的USB设备将平均电流消耗限制在2.5mA。任何电路保护方案,无论是CMOS还是其他方案,都必须满足这个要求。
PolyZen是聚合物增强型齐纳二极管,可在单一封装中提供防止过压、过流和ESD瞬态损坏的协同保护。新款PolyZen ZEN059V1 30A24LS器件将高功率吸收能力与低齐纳电压Vz和低功率消耗结合在一起。基于该器件的聚合物热保护架构,它能够吸收高能量脉冲并有效地阻隔过高电流和反向偏压电源,而这些都有可能给单体的齐纳二极管造成终极损毁。该器件的钳位电压Vz低于6V,它有助于保护易损坏的下游电子器件,其5V低功耗满足USB3.0挂起模式的要求。
对USB3.0设备来说,PolyZen器件可被置于USB输入端口、Powered-B插头以及/任何适用的附加电源端口。PolyZen为设计师们提供了高功率钳位二极管所具有的简洁性,同时避免了对大量散热的需求。该器件的嵌入式“时间延迟”过压闭锁和过流开关有助于防止由使用不当电源、反向偏置电源、负电压以及由过流、ESD瞬态、感应尖峰或其他过压故障所产生的损坏。
IR推出汽车栅极驱动应用IC
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称JR)推出AUIRS2117S和AUIRS2118S 600V IC,适用于汽车栅极驱动应用,包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。
AUIRS2117S和AUIRS2118S高侧驱动器的开关传输时间非常短,可以在更高的频率下驱动MOSFET或IGBT,由此可通过使用更小的滤波组件缩小系统尺寸。
AUIRS2117S的输出信号与输入信号同相,CMOS施密特触发器输入端采用下拉电阻。AUIRS2118S的输出信号与输入信号反相,CMOS施密特触发器输入端采用上拉电阻。两个器件都具有欠压闭锁功能,并提供电压范围在10V~20V之间的栅极驱动。
两款新IC都采用了专有的高压集成电路(HVIC)和锁存CMOS技术,具有坚固耐用的单片构造和基准负电压尖峰免疫力,即使在极端开关条件和短路情况下,也能实现可靠运行。浮动信道可用来驱动高侧配置中的N信道功率MOSFET或IGBT,工作电压可以达到600V。
有关产品现已接受批量订单。新器件符合AEC-Q100标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合有害物质管制指令(RoHS)。
相比于USB2.0规范中的500mA工作电流,USB3.0规范的一个主要优势在于允许设备工作电流增长到了900mA。随着越来越多的移动设备采用USB端口作为首选的充电接口,人们对更高充电电流的需求也随之增长,而且更短的充电时间也成为一个重要的考虑要素。当与USB端口相连时,移动设备并不总是处于充电状态;实际上,在大部分时间里它们处于待机或挂起模式状态。一台设备在挂起模式下的功耗特性是电路保护设计中的一个主要问题,支持挂起模式运行的USB设备将平均电流消耗限制在2.5mA。任何电路保护方案,无论是CMOS还是其他方案,都必须满足这个要求。
PolyZen是聚合物增强型齐纳二极管,可在单一封装中提供防止过压、过流和ESD瞬态损坏的协同保护。新款PolyZen ZEN059V1 30A24LS器件将高功率吸收能力与低齐纳电压Vz和低功率消耗结合在一起。基于该器件的聚合物热保护架构,它能够吸收高能量脉冲并有效地阻隔过高电流和反向偏压电源,而这些都有可能给单体的齐纳二极管造成终极损毁。该器件的钳位电压Vz低于6V,它有助于保护易损坏的下游电子器件,其5V低功耗满足USB3.0挂起模式的要求。
对USB3.0设备来说,PolyZen器件可被置于USB输入端口、Powered-B插头以及/任何适用的附加电源端口。PolyZen为设计师们提供了高功率钳位二极管所具有的简洁性,同时避免了对大量散热的需求。该器件的嵌入式“时间延迟”过压闭锁和过流开关有助于防止由使用不当电源、反向偏置电源、负电压以及由过流、ESD瞬态、感应尖峰或其他过压故障所产生的损坏。
IR推出汽车栅极驱动应用IC
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称JR)推出AUIRS2117S和AUIRS2118S 600V IC,适用于汽车栅极驱动应用,包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。
AUIRS2117S和AUIRS2118S高侧驱动器的开关传输时间非常短,可以在更高的频率下驱动MOSFET或IGBT,由此可通过使用更小的滤波组件缩小系统尺寸。
AUIRS2117S的输出信号与输入信号同相,CMOS施密特触发器输入端采用下拉电阻。AUIRS2118S的输出信号与输入信号反相,CMOS施密特触发器输入端采用上拉电阻。两个器件都具有欠压闭锁功能,并提供电压范围在10V~20V之间的栅极驱动。
两款新IC都采用了专有的高压集成电路(HVIC)和锁存CMOS技术,具有坚固耐用的单片构造和基准负电压尖峰免疫力,即使在极端开关条件和短路情况下,也能实现可靠运行。浮动信道可用来驱动高侧配置中的N信道功率MOSFET或IGBT,工作电压可以达到600V。
有关产品现已接受批量订单。新器件符合AEC-Q100标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合有害物质管制指令(RoHS)。