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借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化法去除β-SiC微粉中杂质碳的最佳工艺条件为:氧化温度800～900℃,氧化持续时间为1h。
β-SiC微粉中杂质碳的去除工艺研究
【摘 要】
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借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化
【机 构】
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西安科技大学材料科学与工程学院
【出 处】
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硅酸盐通报
【发表日期】
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2010年05期
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