【摘 要】
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美国IXYS公司发售的LXTM50N10型低阻大电流功率MOSFET,栅压10V时的最大导通电阻为0.03Ω,额定电压为100V,额定电流为50A,可用于开关电流及电机驱动电路等。为了降低导通电阻
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美国IXYS公司发售的LXTM50N10型低阻大电流功率MOSFET,栅压10V时的最大导通电阻为0.03Ω,额定电压为100V,额定电流为50A,可用于开关电流及电机驱动电路等。为了降低导通电阻而将每平方英寸(6.45cm~2)的FET数增大到100万个;
The LXTM50N10 low resistance, high current power MOSFET sold by the IXYS company in the United States has a maximum on-resistance of 0.03Ω at a gate voltage of 10V, a rated voltage of 100V and a rated current of 50A, which can be used for switching currents and motor drive circuits. In order to reduce the on-resistance, the number of FETs per square inch (6.45 cm 2) is increased to 1 million.
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