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利用密度泛函理论的赝势平面波方法对Mg2Si晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对电子结构、弹性常数与热力学性质进行了第一性原理计算.结果得到Mg2Si是一种带隙为0.2846eV的间接带隙半导体;其导带主要以Mg的3p、3s与Si的3p态电子构成;弹性常量C11=114.39GPa、C12=22.45GPa、C44=42.78GPa;零温度与零压下的德拜温度为676.4K.运用线性响应方法确定了声子色散关系,得到Mg2Si的等容热容、德拜温度、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系.