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,Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack
【机 构】
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Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China“,”School of Electr
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2014年8期
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