【摘 要】
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为了提高亚稳立方Al N薄膜的外延质量,采用激光分子束外延法,以Ti N为缓冲层在Si(100)衬底上制备立方Al N薄膜,主要研究了Ti N缓冲层厚度对立方Al N薄膜结晶质量和表面形貌的
【机 构】
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广西生态型铝产业协同创新中心广西大学材料科学与工程学院,
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为了提高亚稳立方Al N薄膜的外延质量,采用激光分子束外延法,以Ti N为缓冲层在Si(100)衬底上制备立方Al N薄膜,主要研究了Ti N缓冲层厚度对立方Al N薄膜结晶质量和表面形貌的影响。结果表明,以Ti N为缓冲层可制备出高取向度的立方Al N薄膜,当缓冲层沉积时间为30 min时,立方Al N薄膜的结晶质量最好,表面最平整。
In order to improve the epitaxial quality of the metastable cubic AlN thin films, laser molecular beam epitaxy was used to prepare cubic AlN thin films on Si (100) substrates with TiN as buffer layer. The effects of the TiN buffer layer thickness on the cubic Al N film crystallization quality and surface morphology. The results show that cubic AlN films with high degree of orientation can be prepared by using TiN as buffer layer. When the deposition time of buffer layer is 30 min, the crystalline quality of cubic AlN films is the best and the surface is the most flat.
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