LBL法制备Cu3SbS4薄膜

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针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL (layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜.即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理.探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性.制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344 nm,直接光学带隙约为0.47 eV.
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